OSG60R108FZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: OSG60R108FZF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 71.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 246 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.108 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для OSG60R108FZF
OSG60R108FZF Datasheet (PDF)
osg60r108fzf.pdf
OSG60R108FZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery dio
Другие MOSFET... OSG60R099HF , OSG60R099HSZF , OSG60R099HT3F , OSG60R099JF , OSG60R099KEZF , OSG60R099KSZF , OSG60R099KT3F , OSG60R099PEZF , 2SK3878 , OSG60R108HSZF , OSG60R108HT3ZF , OSG60R108HZF , OSG60R108JZF , OSG60R108KSZF , OSG60R108KZF , OSG60R108PZF , OSG60R140FSZF .
History: IXFP90N20X3 | 15N10-TO251 | TK17A65U | SVG104R0NSTR | OSG55R580PF | IRF3709ZCLPBF | SWP100R10VT
History: IXFP90N20X3 | 15N10-TO251 | TK17A65U | SVG104R0NSTR | OSG55R580PF | IRF3709ZCLPBF | SWP100R10VT
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf