OSG60R108FZF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OSG60R108FZF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 71.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 246 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.108 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для OSG60R108FZF
OSG60R108FZF Datasheet (PDF)
osg60r108fzf.pdf
OSG60R108FZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery dio
Другие MOSFET... OSG60R099HF , OSG60R099HSZF , OSG60R099HT3F , OSG60R099JF , OSG60R099KEZF , OSG60R099KSZF , OSG60R099KT3F , OSG60R099PEZF , IRF630 , OSG60R108HSZF , OSG60R108HT3ZF , OSG60R108HZF , OSG60R108JZF , OSG60R108KSZF , OSG60R108KZF , OSG60R108PZF , OSG60R140FSZF .
History: OSG65R017HT3F | MTW4N80E | FDC653N | SMG2329P | 2SK3522-01 | 2SK1871 | WMB129N10T2
History: OSG65R017HT3F | MTW4N80E | FDC653N | SMG2329P | 2SK3522-01 | 2SK1871 | WMB129N10T2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf