OSG60R108FZF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG60R108FZF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG60R108FZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 37.1 nC
   Время нарастания (tr): 71.1 ns
   Выходная емкость (Cd): 246 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.108 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG60R108FZF

OSG60R108FZF Datasheet (PDF)

..1. Size:721K oriental semi
osg60r108fzf.pdf

OSG60R108FZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery dio

5.1. Size:937K oriental semi
osg60r108kzf.pdf