OSG60R108FZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R108FZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 246 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.108 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG60R108FZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R108FZF даташит

 ..1. Size:721K  oriental semi
 osg60r108fzf.pdf pdf_icon

OSG60R108FZF

OSG60R108FZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery dio

 5.1. Size:937K  oriental semi
 osg60r108kzf.pdf pdf_icon

OSG60R108FZF

 5.2. Size:880K  oriental semi
 osg60r108hszf.pdf pdf_icon

OSG60R108FZF

 5.3. Size:958K  oriental semi
 osg60r108hzf.pdf pdf_icon

OSG60R108FZF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R099HF, OSG60R099HSZF, OSG60R099HT3F, OSG60R099JF, OSG60R099KEZF, OSG60R099KSZF, OSG60R099KT3F, OSG60R099PEZF, 8205A, OSG60R108HSZF, OSG60R108HT3ZF, OSG60R108HZF, OSG60R108JZF, OSG60R108KSZF, OSG60R108KZF, OSG60R108PZF, OSG60R140FSZF