OSG60R108PZF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSG60R108PZF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 101 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 71.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 246 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.108 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de OSG60R108PZF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

OSG60R108PZF datasheet

 ..1. Size:1013K  oriental semi
osg60r108pzf.pdf pdf_icon

OSG60R108PZF

 5.1. Size:937K  oriental semi
osg60r108kzf.pdf pdf_icon

OSG60R108PZF

 5.2. Size:880K  oriental semi
osg60r108hszf.pdf pdf_icon

OSG60R108PZF

 5.3. Size:958K  oriental semi
osg60r108hzf.pdf pdf_icon

OSG60R108PZF

Otros transistores... OSG60R099PEZF, OSG60R108FZF, OSG60R108HSZF, OSG60R108HT3ZF, OSG60R108HZF, OSG60R108JZF, OSG60R108KSZF, OSG60R108KZF, STP75NF75, OSG60R140FSZF, OSG60R150FF, OSG60R150HF, OSG60R150JF, OSG60R150KF, OSG60R150PF, OSG60R180DT3F, OSG60R180FSF-NB