Справочник MOSFET. OSG60R108PZF

 

OSG60R108PZF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG60R108PZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 71.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 246 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.108 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для OSG60R108PZF

 

 

OSG60R108PZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1013K  oriental semi
 osg60r108pzf.pdf

OSG60R108PZF OSG60R108PZF

 5.1. Size:937K  oriental semi
 osg60r108kzf.pdf

OSG60R108PZF OSG60R108PZF

 5.2. Size:880K  oriental semi
 osg60r108hszf.pdf

OSG60R108PZF OSG60R108PZF

 5.3. Size:958K  oriental semi
 osg60r108hzf.pdf

OSG60R108PZF OSG60R108PZF

 5.4. Size:859K  oriental semi
 osg60r108kszf.pdf

OSG60R108PZF OSG60R108PZF

 5.5. Size:917K  oriental semi
 osg60r108jzf.pdf

OSG60R108PZF OSG60R108PZF

 5.6. Size:721K  oriental semi
 osg60r108fzf.pdf

OSG60R108PZF OSG60R108PZF

OSG60R108FZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery dio

 5.7. Size:917K  oriental semi
 osg60r108ht3zf.pdf

OSG60R108PZF OSG60R108PZF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top