Справочник MOSFET. OSG60R108PZF

 

OSG60R108PZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R108PZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 71.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 246 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.108 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для OSG60R108PZF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R108PZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1013K  oriental semi
osg60r108pzf.pdfpdf_icon

OSG60R108PZF

 5.1. Size:937K  oriental semi
osg60r108kzf.pdfpdf_icon

OSG60R108PZF

 5.2. Size:880K  oriental semi
osg60r108hszf.pdfpdf_icon

OSG60R108PZF

 5.3. Size:958K  oriental semi
osg60r108hzf.pdfpdf_icon

OSG60R108PZF

Другие MOSFET... OSG60R099PEZF , OSG60R108FZF , OSG60R108HSZF , OSG60R108HT3ZF , OSG60R108HZF , OSG60R108JZF , OSG60R108KSZF , OSG60R108KZF , 12N60 , OSG60R140FSZF , OSG60R150FF , OSG60R150HF , OSG60R150JF , OSG60R150KF , OSG60R150PF , OSG60R180DT3F , OSG60R180FSF-NB .

History: WFW18N50W | UT9435H | AFN2354 | ELM14801AA | BLP12N10G-P | QM2410J | AOB095A60L

 

 
Back to Top

 


 
.