OSG60R200PSZF Todos los transistores

 

OSG60R200PSZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSG60R200PSZF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

OSG60R200PSZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:948K  oriental semi
osg60r200pszf.pdf pdf_icon

OSG60R200PSZF

 5.1. Size:844K  oriental semi
osg60r200fszf.pdf pdf_icon

OSG60R200PSZF

 5.2. Size:813K  oriental semi
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OSG60R200PSZF

 7.1. Size:401K  oriental semi
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OSG60R200PSZF

OSG60R2K2DSF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS S series is optimized for its switching chara

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History: SVS65R380DD4TR | WVM13N50 | SL3N06 | 2SJ665 | FDMQ8203 | AOB418

 

 
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