Справочник MOSFET. OSG60R200PSZF

 

OSG60R200PSZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R200PSZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 68.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R200PSZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:948K  oriental semi
osg60r200pszf.pdfpdf_icon

OSG60R200PSZF

 5.1. Size:844K  oriental semi
osg60r200fszf.pdfpdf_icon

OSG60R200PSZF

 5.2. Size:813K  oriental semi
osg60r200jszf.pdfpdf_icon

OSG60R200PSZF

 7.1. Size:401K  oriental semi
osg60r2k2dsf.pdfpdf_icon

OSG60R200PSZF

OSG60R2K2DSF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS S series is optimized for its switching chara

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RSH065N06TB1 | IXTH10P50P | PJM2301PSA-S | IRFS820 | FSYA250R | AP73T02GH-HF | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.