OSG60R360DZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG60R360DZF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de OSG60R360DZF MOSFET
OSG60R360DZF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG60R2K2DSF , OSG60R2K2FSF , OSG60R2K8AF , OSG60R2K8DF , OSG60R320FT3ZF , OSG60R340DT3F , OSG60R340FT3F , OSG60R360DSF , IRF520 , OSG60R360FSF , OSG60R380AF , OSG60R380DF , OSG60R380DTF , OSG60R380FF , OSG60R380IF , OSG60R380PF , OSG60R580AF .
History: WML05N100C2 | SHD225512
History: WML05N100C2 | SHD225512



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d