Справочник MOSFET. OSG60R360DZF

 

OSG60R360DZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R360DZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для OSG60R360DZF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R360DZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:879K  oriental semi
osg60r360dzf.pdfpdf_icon

OSG60R360DZF

 4.1. Size:890K  oriental semi
osg60r360dsf.pdfpdf_icon

OSG60R360DZF

 5.1. Size:861K  oriental semi
osg60r360fsf.pdfpdf_icon

OSG60R360DZF

 7.1. Size:997K  oriental semi
osg60r380af.pdfpdf_icon

OSG60R360DZF

Другие MOSFET... OSG60R2K2DSF , OSG60R2K2FSF , OSG60R2K8AF , OSG60R2K8DF , OSG60R320FT3ZF , OSG60R340DT3F , OSG60R340FT3F , OSG60R360DSF , IRF520 , OSG60R360FSF , OSG60R380AF , OSG60R380DF , OSG60R380DTF , OSG60R380FF , OSG60R380IF , OSG60R380PF , OSG60R580AF .

History: SM7A25NSU | LSD65R180GT | OSG55R580DF | SI4712DY | PHP79NQ08LT | STL80N3LLH6 | APL502J

 

 
Back to Top

 


 
.