OSG60R670DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSG60R670DF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46.9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.67 Ohm

Encapsulados: TO252

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OSG60R670DF datasheet

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OSG60R670DF

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