OSG60R670DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R670DF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG60R670DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R670DF даташит

 ..1. Size:1069K  oriental semi
 osg60r670df.pdf pdf_icon

OSG60R670DF

 5.1. Size:1004K  oriental semi
 osg60r670af.pdf pdf_icon

OSG60R670DF

 5.2. Size:991K  oriental semi
 osg60r670pf.pdf pdf_icon

OSG60R670DF

 5.3. Size:1018K  oriental semi
 osg60r670ff.pdf pdf_icon

OSG60R670DF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R580AF, OSG60R580DF, OSG60R580DT3F, OSG60R580DTF, OSG60R580FF, OSG60R580PF, OSG60R600DMZF, OSG60R670AF, MMIS60R580P, OSG60R670FF, OSG60R670PF, OSG60R900AF, OSG60R900DF, OSG60R900FF, OSG60R900PF, OSG65R017HT3F, OSG65R020HT3F