Справочник MOSFET. OSG60R670DF

 

OSG60R670DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG60R670DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 7.1 ns
   Выходная емкость (Cd): 46.9 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.67 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для OSG60R670DF

 

 

OSG60R670DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1069K  oriental semi
osg60r670df.pdf

OSG60R670DF
OSG60R670DF

 5.1. Size:1004K  oriental semi
osg60r670af.pdf

OSG60R670DF
OSG60R670DF

 5.2. Size:991K  oriental semi
osg60r670pf.pdf

OSG60R670DF
OSG60R670DF

 5.3. Size:1018K  oriental semi
osg60r670ff.pdf

OSG60R670DF
OSG60R670DF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top