OSG65R099FZF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSG65R099FZF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 57.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 448.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de OSG65R099FZF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

OSG65R099FZF datasheet

 ..1. Size:1040K  oriental semi
 osg65r099fzf.pdf pdf_icon

OSG65R099FZF

 4.1. Size:1042K  oriental semi
 osg65r099ff.pdf pdf_icon

OSG65R099FZF

 4.2. Size:889K  oriental semi
 osg65r099fszf.pdf pdf_icon

OSG65R099FZF

 4.3. Size:984K  oriental semi
 osg65r099ft3zf.pdf pdf_icon

OSG65R099FZF

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... OSG65R074KT3ZF, OSG65R080HT3ZF, OSG65R080KT3ZF, OSG65R080PT3ZF, OSG65R080TT3ZF, OSG65R099FF, OSG65R099FSZF, OSG65R099FT3ZF, IRF4905, OSG65R099H4SZF, OSG65R099HF, OSG65R099HSF, OSG65R099HSZF, OSG65R099HT3ZF, OSG65R099HZF, OSG65R099KT3ZF, OSG65R099PT3ZF