Справочник MOSFET. OSG65R099FZF

 

OSG65R099FZF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG65R099FZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 57.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 448.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG65R099FZF

 

 

OSG65R099FZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1040K  oriental semi
osg65r099fzf.pdf

OSG65R099FZF
OSG65R099FZF

 4.1. Size:1042K  oriental semi
osg65r099ff.pdf

OSG65R099FZF
OSG65R099FZF

 4.2. Size:889K  oriental semi
osg65r099fszf.pdf

OSG65R099FZF
OSG65R099FZF

 4.3. Size:984K  oriental semi
osg65r099ft3zf.pdf

OSG65R099FZF
OSG65R099FZF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top