OSG65R108HSZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R108HSZF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 261 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.108 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET OSG65R108HSZF
OSG65R108HSZF Datasheet (PDF)
osg65r1k4af osg65r1k4df osg65r1k4ff osg65r1k4pf.pdf
OSG65R1K4xF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R1K4AF, OSG65R1K4DF, OSG65R1K4FF, OSG65R1K4PF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Genera
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History: KHB011N40F2 | KDV303N
History: KHB011N40F2 | KDV303N
Liste
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