OSG65R108HSZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R108HSZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 261 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.108 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для OSG65R108HSZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R108HSZF даташит

 ..1. Size:892K  oriental semi
 osg65r108hszf.pdf pdf_icon

OSG65R108HSZF

 7.1. Size:926K  oriental semi
 osg65r140pszf.pdf pdf_icon

OSG65R108HSZF

 7.2. Size:906K  oriental semi
 osg65r125pf.pdf pdf_icon

OSG65R108HSZF

 7.3. Size:881K  oriental semi
 osg65r125kf.pdf pdf_icon

OSG65R108HSZF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG65R099HF, OSG65R099HSF, OSG65R099HSZF, OSG65R099HT3ZF, OSG65R099HZF, OSG65R099KT3ZF, OSG65R099PT3ZF, OSG65R099TT3ZF, AON7410, OSG65R120FT3F, OSG65R125FF, OSG65R125FSF, OSG65R125FZF, OSG65R125HF, OSG65R125HT3ZF, OSG65R125IF, OSG65R125JF