OSG65R108HSZF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG65R108HSZF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG65R108HSZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 261 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.108 Ohm
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для OSG65R108HSZF

OSG65R108HSZF Datasheet (PDF)

..1. Size:892K oriental semi
osg65r108hszf.pdf

7.1. Size:926K oriental semi
osg65r140pszf.pdf

7.2. Size:906K oriental semi
osg65r125pf.pdf

7.3. Size:881K oriental semi
osg65r125kf.pdf

7.4. Size:1166K oriental semi
osg65r1k4af osg65r1k4df osg65r1k4ff osg65r1k4pf.pdf

OSG65R1K4xF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R1K4AF, OSG65R1K4DF, OSG65R1K4FF, OSG65R1K4PF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Genera

7.5. Size:887K oriental semi
osg65r125ff.pdf