OSG65R260DSF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R260DSF
Código: OSG65R260DS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 123 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.9 V
Carga de la puerta (Qg): 26.4 nC
Tiempo de subida (tr): 7.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100.2 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.26 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET OSG65R260DSF
OSG65R260DSF Datasheet (PDF)
5.1. Size:762K oriental semi
osg65r260fsf nb.pdf
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OSG65R260FSF_NB_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R260FSF_NB , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG65R260FSF_NB
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