OSG65R260DSF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG65R260DSF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG65R260DSF
   Маркировка: OSG65R260DS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 123 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG65R260DSF

OSG65R260DSF Datasheet (PDF)

..1. Size:992K oriental semi
osg65r260dsf.pdf

5.1. Size:762K oriental semi
osg65r260fsf nb.pdf

OSG65R260FSF_NB_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R260FSF_NB , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG65R260FSF_NB

5.2. Size:966K oriental semi
osg65r260fsf-nb.pdf