OSG65R260DSF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R260DSF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 123 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG65R260DSF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R260DSF даташит

 ..1. Size:992K  oriental semi
 osg65r260dsf.pdf pdf_icon

OSG65R260DSF

 5.1. Size:762K  oriental semi
 osg65r260fsf nb.pdf pdf_icon

OSG65R260DSF

OSG65R260FSF_NB_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R260FSF_NB , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG65R260FSF_NB

 5.2. Size:966K  oriental semi
 osg65r260fsf-nb.pdf pdf_icon

OSG65R260DSF

 5.3. Size:963K  oriental semi
 osg65r260fsf.pdf pdf_icon

OSG65R260DSF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG65R200JT3F, OSG65R200KF, OSG65R200PF, OSG65R220FZF, OSG65R220HZF, OSG65R220IZF, OSG65R220KZF, OSG65R220PZF, STP65NF06, OSG65R260FSF, OSG65R260FSF-NB, OSG65R290AF, OSG65R290DF, OSG65R290FEF-NB, OSG65R290FF, OSG65R290FTF, OSG65R290KF