OSG65R290PF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R290PF
Código: OSG65R290P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 39.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67.7 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
Encapsulados: TO220
Búsqueda de reemplazo de OSG65R290PF MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
OSG65R290PF datasheet
Otros transistores... OSG65R260FSF, OSG65R260FSF-NB, OSG65R290AF, OSG65R290DF, OSG65R290FEF-NB, OSG65R290FF, OSG65R290FTF, OSG65R290KF, AON7403, OSG65R2K4AF, OSG65R2K4DF, OSG65R2K4FF, OSG65R2K4PF, OSG65R2KAF, OSG65R2KDF, OSG65R2KFF, OSG65R2KFSF
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ | ASDM60N45KQ | ASDM60N30KQ | ASDM540G | ASDM4976S | ASDM4606S | ASDM40R009NQ | ASDM40N80KQ | ASDM40N60KQ
Popular searches
bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet
