OSG65R290PF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: OSG65R290PF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 39.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET OSG65R290PF

OSG65R290PF Datasheet (PDF)

..1. Size:1008K oriental semi
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osg65r290ff.pdf

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osg65r290ftf.pdf

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osg65r290df.pdf

5.4. Size:972K oriental semi
osg65r290def.pdf

5.5. Size:938K oriental semi
osg65r290kef.pdf

5.6. Size:991K oriental semi
osg65r290fef osg65r290def osg65r290kef.pdf

OSG65R290xEF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger EMI and performance balanced OSG65R290FEF, OSG65R290DEF, OSG65R290KEF , Enhancement Mode N-Channel

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