OSG65R290PF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R290PF

Маркировка: OSG65R290P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 39.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для OSG65R290PF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R290PF даташит

 ..1. Size:1008K  oriental semi
osg65r290pf.pdfpdf_icon

OSG65R290PF

 5.1. Size:1014K  oriental semi
osg65r290ff.pdfpdf_icon

OSG65R290PF

 5.2. Size:959K  oriental semi
osg65r290ftf.pdfpdf_icon

OSG65R290PF

 5.3. Size:1036K  oriental semi
osg65r290df.pdfpdf_icon

OSG65R290PF

Другие IGBT... OSG65R260FSF, OSG65R260FSF-NB, OSG65R290AF, OSG65R290DF, OSG65R290FEF-NB, OSG65R290FF, OSG65R290FTF, OSG65R290KF, AON7403, OSG65R2K4AF, OSG65R2K4DF, OSG65R2K4FF, OSG65R2K4PF, OSG65R2KAF, OSG65R2KDF, OSG65R2KFF, OSG65R2KFSF