OSG65R360DEF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSG65R360DEF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de OSG65R360DEF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

OSG65R360DEF datasheet

 ..1. Size:1032K  oriental semi
osg65r360def.pdf pdf_icon

OSG65R360DEF

 4.1. Size:872K  oriental semi
osg65r360dtf.pdf pdf_icon

OSG65R360DEF

 5.1. Size:893K  oriental semi
osg65r360jef.pdf pdf_icon

OSG65R360DEF

 5.2. Size:901K  oriental semi
osg65r360pef.pdf pdf_icon

OSG65R360DEF

Otros transistores... OSG65R2K4PF, OSG65R2KAF, OSG65R2KDF, OSG65R2KFF, OSG65R2KFSF, OSG65R2KPF, OSG65R340DZF, OSG65R340FZF, IRF3205, OSG65R360GEF, OSG65R360JEF, OSG65R360PEF, OSG65R380AF, OSG65R380DF, OSG65R380DSF, OSG65R380DTF, OSG65R380FEF-NB