Справочник MOSFET. OSG65R360DEF

 

OSG65R360DEF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG65R360DEF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для OSG65R360DEF

 

 

OSG65R360DEF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1032K  oriental semi
osg65r360def.pdf

OSG65R360DEF
OSG65R360DEF

 4.1. Size:872K  oriental semi
osg65r360dtf.pdf

OSG65R360DEF
OSG65R360DEF

 5.1. Size:893K  oriental semi
osg65r360jef.pdf

OSG65R360DEF
OSG65R360DEF

 5.2. Size:901K  oriental semi
osg65r360pef.pdf

OSG65R360DEF
OSG65R360DEF

 5.3. Size:804K  oriental semi
osg65r360gef.pdf

OSG65R360DEF
OSG65R360DEF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top