OSG65R900GTF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSG65R900GTF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30.1 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de OSG65R900GTF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

OSG65R900GTF datasheet

 ..1. Size:929K  oriental semi
 osg65r900gtf.pdf pdf_icon

OSG65R900GTF

 5.1. Size:1029K  oriental semi
 osg65r900def.pdf pdf_icon

OSG65R900GTF

 5.2. Size:1016K  oriental semi
 osg65r900pf.pdf pdf_icon

OSG65R900GTF

 5.3. Size:1034K  oriental semi
 osg65r900df.pdf pdf_icon

OSG65R900GTF

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... OSG65R760PF, OSG65R900AF, OSG65R900ATF, OSG65R900DEF, OSG65R900DF, OSG65R900FEF, OSG65R900FF, OSG65R900FTF, RFP50N06, OSG65R900PF, OSG70R1K4AF, OSG70R1K4DF, OSG70R1K4FF, OSG70R1K4PF, OSG70R1KAF, OSG70R1KDF, OSG70R1KFF