OSG65R900GTF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OSG65R900GTF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30.1 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
OSG65R900GTF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... OSG65R760PF , OSG65R900AF , OSG65R900ATF , OSG65R900DEF , OSG65R900DF , OSG65R900FEF , OSG65R900FF , OSG65R900FTF , SKD502T , OSG65R900PF , OSG70R1K4AF , OSG70R1K4DF , OSG70R1K4FF , OSG70R1K4PF , OSG70R1KAF , OSG70R1KDF , OSG70R1KFF .
History: SI6467BDQ
History: SI6467BDQ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: P80NF70 | MPT65N08S | MPT65N08 | MPT045N08S | MPT045N08P | MPT042N10S | MPT042N10P | MPT037N08S | MPT037N08P | MPT028N10S | MPG55N06P | MPG50N06P | MPG40P10P | MPG30P10P | MPG160N04P | MPS100N06
Popular searches
bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor