OSG70R1K4DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSG70R1K4DF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de OSG70R1K4DF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

OSG70R1K4DF datasheet

 ..1. Size:996K  oriental semi
 osg70r1k4df.pdf pdf_icon

OSG70R1K4DF

 5.1. Size:1027K  oriental semi
 osg70r1k4af.pdf pdf_icon

OSG70R1K4DF

 5.2. Size:1013K  oriental semi
 osg70r1k4ff.pdf pdf_icon

OSG70R1K4DF

 5.3. Size:973K  oriental semi
 osg70r1k4pf.pdf pdf_icon

OSG70R1K4DF

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... OSG65R900DEF, OSG65R900DF, OSG65R900FEF, OSG65R900FF, OSG65R900FTF, OSG65R900GTF, OSG65R900PF, OSG70R1K4AF, 18N50, OSG70R1K4FF, OSG70R1K4PF, OSG70R1KAF, OSG70R1KDF, OSG70R1KFF, OSG70R1KPF, OSG70R280KF, OSG70R290DF