OSG70R1K4DF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG70R1K4DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG70R1K4DF
   Маркировка: OSG70R1K4D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28.4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 7.5 nC
   Время нарастания (tr): 17.4 ns
   Выходная емкость (Cd): 18.8 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG70R1K4DF