OSG70R1K4DF datasheet, аналоги, параметры транзистора

OSG70R1K4DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG70R1K4DF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 17.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG70R1K4DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:996K oriental semi
osg70r1k4df.pdf pdf_icon

5.1. Size:1027K oriental semi
osg70r1k4af.pdf pdf_icon

5.2. Size:1013K oriental semi
osg70r1k4ff.pdf pdf_icon

5.3. Size:973K oriental semi
osg70r1k4pf.pdf pdf_icon