OSS60R190JF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSS60R190JF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112.9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8X8
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OSS60R190JF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG95R750DF , OSG95R750FF , OSS60R099HF , OSS60R099JF , OSS60R099KF , OSS60R099PF , OSS60R099TF , OSS60R190FF , IRFZ24N , OSS60R190PF , OSS65R125PZF , OSS65R240JF , OSS65R340DF , OSS65R340FF , OSS65R340JF , OSS70R350DF , SFG08R06GF .
History: KCF3650A | 2SK1295 | AJCS160N08I | IRF830P | SSF11NS60UF | STL13DP10F6 | IRLML6344GT
History: KCF3650A | 2SK1295 | AJCS160N08I | IRF830P | SSF11NS60UF | STL13DP10F6 | IRLML6344GT



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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