OSS60R190JF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSS60R190JF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112.9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: PDFN8X8

 Búsqueda de reemplazo de OSS60R190JF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

OSS60R190JF datasheet

 ..1. Size:892K  oriental semi
oss60r190jf.pdf pdf_icon

OSS60R190JF

 5.1. Size:858K  oriental semi
oss60r190pf.pdf pdf_icon

OSS60R190JF

 5.2. Size:851K  oriental semi
oss60r190ff.pdf pdf_icon

OSS60R190JF

 8.1. Size:848K  oriental semi
oss60r099pf.pdf pdf_icon

OSS60R190JF

Otros transistores... OSG95R750DF, OSG95R750FF, OSS60R099HF, OSS60R099JF, OSS60R099KF, OSS60R099PF, OSS60R099TF, OSS60R190FF, TK10A60D, OSS60R190PF, OSS65R125PZF, OSS65R240JF, OSS65R340DF, OSS65R340FF, OSS65R340JF, OSS70R350DF, SFG08R06GF