OSS60R190JF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: OSS60R190JF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 112.9 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: PDFN8X8
Аналог (замена) для OSS60R190JF
OSS60R190JF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... OSG95R750DF , OSG95R750FF , OSS60R099HF , OSS60R099JF , OSS60R099KF , OSS60R099PF , OSS60R099TF , OSS60R190FF , 13N50 , OSS60R190PF , OSS65R125PZF , OSS65R240JF , OSS65R340DF , OSS65R340FF , OSS65R340JF , OSS70R350DF , SFG08R06GF .
History: SSM3K7002BFS | RU1H7H | AP6N2R0CDT | RU1H60R | RU1H40L | TPP65R075DFD | OSS60R099HF
History: SSM3K7002BFS | RU1H7H | AP6N2R0CDT | RU1H60R | RU1H40L | TPP65R075DFD | OSS60R099HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent