OSS65R125PZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSS65R125PZF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 219 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 48.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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OSS65R125PZF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSS60R099HF , OSS60R099JF , OSS60R099KF , OSS60R099PF , OSS60R099TF , OSS60R190FF , OSS60R190JF , OSS60R190PF , 18N50 , OSS65R240JF , OSS65R340DF , OSS65R340FF , OSS65R340JF , OSS70R350DF , SFG08R06GF , SFG08R08DF , SFG08R08GF .
History: FQB7N65CTM | WMK80R1K5S
History: FQB7N65CTM | WMK80R1K5S



Liste
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