OSS65R125PZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSS65R125PZF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для OSS65R125PZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSS65R125PZF даташит

 ..1. Size:923K  oriental semi
 oss65r125pzf.pdf pdf_icon

OSS65R125PZF

 8.1. Size:847K  oriental semi
 oss65r340df.pdf pdf_icon

OSS65R125PZF

 8.2. Size:861K  oriental semi
 oss65r340ff.pdf pdf_icon

OSS65R125PZF

 8.3. Size:905K  oriental semi
 oss65r340jf.pdf pdf_icon

OSS65R125PZF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSS60R099HF, OSS60R099JF, OSS60R099KF, OSS60R099PF, OSS60R099TF, OSS60R190FF, OSS60R190JF, OSS60R190PF, BS170, OSS65R240JF, OSS65R340DF, OSS65R340FF, OSS65R340JF, OSS70R350DF, SFG08R06GF, SFG08R08DF, SFG08R08GF