SFG08R08DF Todos los transistores

SFG08R08DF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFG08R08DF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 148 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1304.2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros