Справочник MOSFET. SFG08R08DF

 

SFG08R08DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFG08R08DF
   Маркировка: SFG08R06G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 148 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1304.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6

 Аналог (замена) для SFG08R08DF

 

 

SFG08R08DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1119K  oriental semi
sfg08r08df.pdf

SFG08R08DF
SFG08R08DF

 6.1. Size:1066K  oriental semi
sfg08r08gf.pdf

SFG08R08DF
SFG08R08DF

 6.2. Size:1041K  oriental semi
sfg08r08pf.pdf

SFG08R08DF
SFG08R08DF

 7.1. Size:1087K  oriental semi
sfg08r06df.pdf

SFG08R08DF
SFG08R08DF

 7.2. Size:941K  oriental semi
sfg08r06gf.pdf

SFG08R08DF
SFG08R08DF

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top