SFG10R05IF Todos los transistores

 

SFG10R05IF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFG10R05IF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 923.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
     - Selección de transistores por parámetros

 

SFG10R05IF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  oriental semi
sfg10r05if.pdf pdf_icon

SFG10R05IF

 6.1. Size:832K  oriental semi
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SFG10R05IF

 6.2. Size:833K  oriental semi
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SFG10R05IF

 6.3. Size:861K  oriental semi
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SFG10R05IF

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MRF5003 | IRFR120TR | RQK0608BQDQS | 4N65KG-T60-K | STP5N62K3 | AONS36316

 

 
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