SFG10R05IF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFG10R05IF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 923.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO262

 Búsqueda de reemplazo de SFG10R05IF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SFG10R05IF datasheet

 ..1. Size:810K  oriental semi
sfg10r05if.pdf pdf_icon

SFG10R05IF

 6.1. Size:832K  oriental semi
sfg10r05pf.pdf pdf_icon

SFG10R05IF

 6.2. Size:833K  oriental semi
sfg10r05ff.pdf pdf_icon

SFG10R05IF

 6.3. Size:861K  oriental semi
sfg10r05kf.pdf pdf_icon

SFG10R05IF

Otros transistores... SFG08S10DF, SFG100N08GF, SFG100N08KF, SFG100N10DF, SFG100N10GF, SFG100N10KF, SFG100N10PF, SFG10R05FF, IRF1405, SFG10R05KF, SFG10R05PF, SFG10R08BF, SFG10R08GF, SFG10R08PF, SFG10R10AF, SFG10R10BF, SFG10R10DF