SFG10R05IF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SFG10R05IF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 923.3 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для SFG10R05IF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SFG10R05IF даташит
Другие IGBT... SFG08S10DF, SFG100N08GF, SFG100N08KF, SFG100N10DF, SFG100N10GF, SFG100N10KF, SFG100N10PF, SFG10R05FF, IRF1405, SFG10R05KF, SFG10R05PF, SFG10R08BF, SFG10R08GF, SFG10R08PF, SFG10R10AF, SFG10R10BF, SFG10R10DF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111




