SFG10R10AF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFG10R10AF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 361 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO251

 Búsqueda de reemplazo de SFG10R10AF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SFG10R10AF datasheet

 ..1. Size:911K  oriental semi
 sfg10r10af.pdf pdf_icon

SFG10R10AF

 6.1. Size:961K  oriental semi
 sfg10r10df.pdf pdf_icon

SFG10R10AF

 6.2. Size:1021K  oriental semi
 sfg10r10pf.pdf pdf_icon

SFG10R10AF

 6.3. Size:1059K  oriental semi
 sfg10r10bf.pdf pdf_icon

SFG10R10AF

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SFG100N10PF, SFG10R05FF, SFG10R05IF, SFG10R05KF, SFG10R05PF, SFG10R08BF, SFG10R08GF, SFG10R08PF, IRF9640, SFG10R10BF, SFG10R10DF, SFG10R10FF, SFG10R10GF, SFG10R10IF, SFG10R10PF, SFG10R12AF, SFG10R12BF