SFG10R10AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SFG10R10AF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 361 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO251
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SFG10R10AF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... SFG100N10PF , SFG10R05FF , SFG10R05IF , SFG10R05KF , SFG10R05PF , SFG10R08BF , SFG10R08GF , SFG10R08PF , AON7403 , SFG10R10BF , SFG10R10DF , SFG10R10FF , SFG10R10GF , SFG10R10IF , SFG10R10PF , SFG10R12AF , SFG10R12BF .
History: NVBG060N090SC1
History: NVBG060N090SC1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement