Справочник MOSFET. SFG10R10AF

 

SFG10R10AF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFG10R10AF
   Маркировка: SFG10R10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 361 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для SFG10R10AF

 

 

SFG10R10AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  oriental semi
sfg10r10af.pdf

SFG10R10AF
SFG10R10AF

 6.1. Size:961K  oriental semi
sfg10r10df.pdf

SFG10R10AF
SFG10R10AF

 6.2. Size:1021K  oriental semi
sfg10r10pf.pdf

SFG10R10AF
SFG10R10AF

 6.3. Size:1059K  oriental semi
sfg10r10bf.pdf

SFG10R10AF
SFG10R10AF

 6.4. Size:989K  oriental semi
sfg10r10ff.pdf

SFG10R10AF
SFG10R10AF

 6.5. Size:942K  oriental semi
sfg10r10if.pdf

SFG10R10AF
SFG10R10AF

 6.6. Size:900K  oriental semi
sfg10r10gf.pdf

SFG10R10AF
SFG10R10AF

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SFH9240

 

 
Back to Top