SFG10R10AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SFG10R10AF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 361 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SFG10R10AF
SFG10R10AF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... SFG100N10PF , SFG10R05FF , SFG10R05IF , SFG10R05KF , SFG10R05PF , SFG10R08BF , SFG10R08GF , SFG10R08PF , AON7403 , SFG10R10BF , SFG10R10DF , SFG10R10FF , SFG10R10GF , SFG10R10IF , SFG10R10PF , SFG10R12AF , SFG10R12BF .
History: FDMS039N08B | RE1C002ZP | IRF7379PBF | IRF7389PBF | IRFB3077 | FDBL86210F085 | BLP042N15J-B
History: FDMS039N08B | RE1C002ZP | IRF7379PBF | IRF7389PBF | IRFB3077 | FDBL86210F085 | BLP042N15J-B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement