Справочник MOSFET. SFG10R10AF

 

SFG10R10AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFG10R10AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 361 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SFG10R10AF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG10R10AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  oriental semi
sfg10r10af.pdfpdf_icon

SFG10R10AF

 6.1. Size:961K  oriental semi
sfg10r10df.pdfpdf_icon

SFG10R10AF

 6.2. Size:1021K  oriental semi
sfg10r10pf.pdfpdf_icon

SFG10R10AF

 6.3. Size:1059K  oriental semi
sfg10r10bf.pdfpdf_icon

SFG10R10AF

Другие MOSFET... SFG100N10PF , SFG10R05FF , SFG10R05IF , SFG10R05KF , SFG10R05PF , SFG10R08BF , SFG10R08GF , SFG10R08PF , AON7403 , SFG10R10BF , SFG10R10DF , SFG10R10FF , SFG10R10GF , SFG10R10IF , SFG10R10PF , SFG10R12AF , SFG10R12BF .

History: FDMS039N08B | RE1C002ZP | IRF7379PBF | IRF7389PBF | IRFB3077 | FDBL86210F085 | BLP042N15J-B

 

 
Back to Top

 


 
.