SFG10S08PF Todos los transistores

 

SFG10S08PF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFG10S08PF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 361 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

SFG10S08PF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1009K  oriental semi
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SFG10S08PF

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SFG10S08PF

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History: QM09N50F | IRLI630A | STH140N6F7 | BFC49 | SSM2312GN | P1603BEBB | DMN2170U

 

 
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