SFG10S08PF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFG10S08PF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 361 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SFG10S08PF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG10S08PF даташит

 ..1. Size:1009K  oriental semi
sfg10s08pf.pdfpdf_icon

SFG10S08PF

 6.1. Size:873K  oriental semi
sfg10s08df.pdfpdf_icon

SFG10S08PF

 6.2. Size:1000K  oriental semi
sfg10s08gf.pdfpdf_icon

SFG10S08PF

 8.1. Size:921K  oriental semi
sfg10s12bf.pdfpdf_icon

SFG10S08PF

Другие IGBT... SFG10R20DF, SFG10R20GF, SFG10R20PF, SFG10R50DF, SFG10R75BCF, SFG10R75DF, SFG10S08DF, SFG10S08GF, IRLZ44N, SFG10S10DF, SFG10S10GF, SFG10S12BF, SFG10S12DF, SFG10S20DF, SFG10S20GF, SFG10S25DF, SFG110N12FF