SFG10S10DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFG10S10DF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 322 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de SFG10S10DF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SFG10S10DF datasheet

 ..1. Size:866K  oriental semi
 sfg10s10df.pdf pdf_icon

SFG10S10DF

 6.1. Size:826K  oriental semi
 sfg10s10gf.pdf pdf_icon

SFG10S10DF

 6.2. Size:819K  oriental semi
 sfg10s10pf.pdf pdf_icon

SFG10S10DF

 7.1. Size:921K  oriental semi
 sfg10s12bf.pdf pdf_icon

SFG10S10DF

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SFG10R20GF, SFG10R20PF, SFG10R50DF, SFG10R75BCF, SFG10R75DF, SFG10S08DF, SFG10S08GF, SFG10S08PF, IRFB4110, SFG10S10GF, SFG10S12BF, SFG10S12DF, SFG10S20DF, SFG10S20GF, SFG10S25DF, SFG110N12FF, SFG110N12IF