Справочник MOSFET. SFG10S10DF

 

SFG10S10DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFG10S10DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 322 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SFG10S10DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG10S10DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:866K  oriental semi
sfg10s10df.pdfpdf_icon

SFG10S10DF

 6.1. Size:826K  oriental semi
sfg10s10gf.pdfpdf_icon

SFG10S10DF

 6.2. Size:819K  oriental semi
sfg10s10pf.pdfpdf_icon

SFG10S10DF

 7.1. Size:921K  oriental semi
sfg10s12bf.pdfpdf_icon

SFG10S10DF

Другие MOSFET... SFG10R20GF , SFG10R20PF , SFG10R50DF , SFG10R75BCF , SFG10R75DF , SFG10S08DF , SFG10S08GF , SFG10S08PF , IRF640N , SFG10S10GF , SFG10S12BF , SFG10S12DF , SFG10S20DF , SFG10S20GF , SFG10S25DF , SFG110N12FF , SFG110N12IF .

History: JST4435 | SVF740T | STB80NE03L-06T4

 

 
Back to Top

 


 
.