SFG10S10DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SFG10S10DF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 322 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SFG10S10DF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... SFG10R20GF , SFG10R20PF , SFG10R50DF , SFG10R75BCF , SFG10R75DF , SFG10S08DF , SFG10S08GF , SFG10S08PF , IRF640N , SFG10S10GF , SFG10S12BF , SFG10S12DF , SFG10S20DF , SFG10S20GF , SFG10S25DF , SFG110N12FF , SFG110N12IF .
History: DMT4N65 | HSS3416E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet