SFG110N12PF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFG110N12PF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 779 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de SFG110N12PF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SFG110N12PF datasheet

 ..1. Size:919K  oriental semi
 sfg110n12pf.pdf pdf_icon

SFG110N12PF

 5.1. Size:783K  oriental semi
 sfg110n12if.pdf pdf_icon

SFG110N12PF

 5.2. Size:813K  oriental semi
 sfg110n12ff.pdf pdf_icon

SFG110N12PF

 5.3. Size:788K  oriental semi
 sfg110n12kf.pdf pdf_icon

SFG110N12PF

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SFG10S12BF, SFG10S12DF, SFG10S20DF, SFG10S20GF, SFG10S25DF, SFG110N12FF, SFG110N12IF, SFG110N12KF, P55NF06, SFG12R03HNF, SFG12R12DF, SFG12R12GF, SFG130N08KF, SFG130N08PF, SFG130N10FF, SFG130N10KF, SFG130N10PF