SFG110N12PF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SFG110N12PF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SFG110N12PF
   Маркировка: SFG110N12P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 120 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 68.9 nC
   Время нарастания (tr): 33 ns
   Выходная емкость (Cd): 779 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFG110N12PF