AP30H50Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP30H50Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
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AP30H50Q Datasheet (PDF)
Otros transistores... SFS12R08GNF , SFS12R08PNF , SFS130N06GF , SFS15R065KNF , SFS15R065PNF , AP0803QD , AP2045Q , AP20P30Q , MMD60R360PRH , AP30H80G , AP30H80Q , AP3908GD , AP3908QD , AP3910GD , AP4008QD , AP4085G , AP4822QD .
History: NTA7002NT1 | IRFS142 | NTHL190N65S3HF | SWI70N10V | IRL3102PBF | NCE1205 | 2SK429
History: NTA7002NT1 | IRFS142 | NTHL190N65S3HF | SWI70N10V | IRL3102PBF | NCE1205 | 2SK429



Liste
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