AP30H50Q Todos los transistores

 

AP30H50Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP30H50Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L

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AP30H50Q datasheet

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AP30H50Q

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AP30H50Q

 9.1. Size:637K  1
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 9.2. Size:590K  1
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AP30H50Q

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History: AP2301GN | IRFS240B | AP04N60J | SI1032X | AP15T25H-HF | AP3P9R0J | LSD65R570GT

 

 

 

 

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