AP30H50Q - аналоги и даташиты транзистора

 

AP30H50Q - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP30H50Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для AP30H50Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30H50Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  1
 ap30h50q.pdf pdf_icon

AP30H50Q

 9.1. Size:637K  1
 ap30h80g.pdf pdf_icon

AP30H50Q

 9.2. Size:590K  1
 ap30h80q.pdf pdf_icon

AP30H50Q

 9.3. Size:2151K  allpower
 ap30h150ka.pdf pdf_icon

AP30H50Q

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SFS12R08GNF , SFS12R08PNF , SFS130N06GF , SFS15R065KNF , SFS15R065PNF , AP0803QD , AP2045Q , AP20P30Q , RU7088R , AP30H80G , AP30H80Q , AP3908GD , AP3908QD , AP3910GD , AP4008QD , AP4085G , AP4822QD .

History: 2SK2103 | AP75T10BGP | 15N10B | AP3A010MT | FDS8449 | SK2300A | AP2323AGN

 

 
Back to Top

 


 
.