AP30H50Q - описание и поиск аналогов

 

AP30H50Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP30H50Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

Аналог (замена) для AP30H50Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30H50Q даташит

 ..1. Size:579K  1
 ap30h50q.pdf pdf_icon

AP30H50Q

 ..2. Size:579K  allpower
 ap30h50q.pdf pdf_icon

AP30H50Q

 9.1. Size:637K  1
 ap30h80g.pdf pdf_icon

AP30H50Q

 9.2. Size:590K  1
 ap30h80q.pdf pdf_icon

AP30H50Q

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SFS12R08GNF , SFS12R08PNF , SFS130N06GF , SFS15R065KNF , SFS15R065PNF , AP0803QD , AP2045Q , AP20P30Q , RU7088R , AP30H80G , AP30H80Q , AP3908GD , AP3908QD , AP3910GD , AP4008QD , AP4085G , AP4822QD .

History: AOD2922 | TX15N10B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.