AP30H80G Todos los transistores

 

AP30H80G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP30H80G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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AP30H80G Datasheet (PDF)

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AP30H80G

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History: AP2301N | MMFTN3019E | SWHA088R06VT | IRF7343 | TPCA8123 | AP2306AGN | SVS20N60KD2

 

 
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