AP30H80G - аналоги и даташиты транзистора

 

AP30H80G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP30H80G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AP30H80G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30H80G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:637K  1
 ap30h80g.pdf pdf_icon

AP30H80G

 7.1. Size:590K  1
 ap30h80q.pdf pdf_icon

AP30H80G

 9.1. Size:579K  1
 ap30h50q.pdf pdf_icon

AP30H80G

 9.2. Size:2151K  allpower
 ap30h150ka.pdf pdf_icon

AP30H80G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SFS12R08PNF , SFS130N06GF , SFS15R065KNF , SFS15R065PNF , AP0803QD , AP2045Q , AP20P30Q , AP30H50Q , MMIS60R580P , AP30H80Q , AP3908GD , AP3908QD , AP3910GD , AP4008QD , AP4085G , AP4822QD , AP4910GD .

History: STLT30 | SWHA088R06VT | MMFTN3019E | AP2306AGN | TPCA8123 | IRF7343 | SVS20N60KD2

 

 
Back to Top

 


 
.