AP4008QD Todos los transistores

 

AP4008QD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4008QD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3

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AP4008QD datasheet

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AP4008QD

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AP4008QD

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AP4008QD

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AP4008QD

AP4002H/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristics RDS(ON) 5 Simple Drive Requirement ID 2A G S Description G AP4002 series are specially designed as chopper regulator, DC/DC converter D S TO-251(J) and power drive application. The APEC MOSFET provid

Otros transistores... AP2045Q , AP20P30Q , AP30H50Q , AP30H80G , AP30H80Q , AP3908GD , AP3908QD , AP3910GD , AO4468 , AP4085G , AP4822QD , AP4910GD , AP60P20Q , AP68N06G , AP80N04G , AP80N04Q , AP90N03Q .

History: AP10TN135K

 

 

 

 

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