AP4822QD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP4822QD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP4822QD

AP4822QD Datasheet (PDF)

..1. Size:1324K 1
ap4822qd.pdf

9.1. Size:56K ape
ap4820agyt-hf.pdf

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9.2. Size:59K ape
ap4820gyt-hf.pdf

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9.3. Size:117K ape
ap4820agyt.pdf

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