AP4822QD Todos los transistores

 

AP4822QD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4822QD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: PMPAK3X3

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AP4822QD datasheet

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AP4822QD

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AP4822QD

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AP4822QD

AP4820AGYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 8.5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15A G D S D D Description D AP4820A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-

 9.2. Size:59K  ape
 ap4820gyt-hf.pdf pdf_icon

AP4822QD

AP4820GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15A G D S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,

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History: AP9474GM-HF | AP3P080N | AP9870GH

 

 

 

 

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