AP4822QD - описание и поиск аналогов

 

AP4822QD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4822QD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: PMPAK3X3

Аналог (замена) для AP4822QD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4822QD даташит

 ..1. Size:1324K  1
 ap4822qd.pdf pdf_icon

AP4822QD

 ..2. Size:1324K  allpower
 ap4822qd.pdf pdf_icon

AP4822QD

 9.1. Size:56K  ape
 ap4820agyt-hf.pdf pdf_icon

AP4822QD

AP4820AGYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 8.5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15A G D S D D Description D AP4820A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-

 9.2. Size:59K  ape
 ap4820gyt-hf.pdf pdf_icon

AP4822QD

AP4820GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15A G D S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP30H50Q , AP30H80G , AP30H80Q , AP3908GD , AP3908QD , AP3910GD , AP4008QD , AP4085G , IRFZ44N , AP4910GD , AP60P20Q , AP68N06G , AP80N04G , AP80N04Q , AP90N03Q , AP90P03G , AP90P03Q .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.