AP60P20Q Todos los transistores

 

AP60P20Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP60P20Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 572 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de AP60P20Q MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP60P20Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1072K  1
 ap60p20q.pdf pdf_icon

AP60P20Q

AP60P20Q P-Channel Enhancement Mosfet Feature -20V,-60A R

 9.1. Size:144K  ape
 ap60pn72rlen.pdf pdf_icon

AP60P20Q

AP60PN72RLENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 600VD Small Package Outline RDS(ON) 72 ESD Diode Protected ID 53mAS RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSOT-23 GDescriptionDAP60PN72 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to a

 9.2. Size:143K  ape
 ap60pn72ren.pdf pdf_icon

AP60P20Q

AP60PN72RENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 600VD Small Package Outline RDS(ON) 72 ESD Diode Protected ID 53mAS RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSOT-23 GDescriptionDAP60PN72 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to ac

 9.3. Size:623K  ncepower
 nceap60p90ak.pdf pdf_icon

AP60P20Q

NCEAP60P90AKhttp://www.ncepower.comNCE Automotive P-Channel Super Trench Power MOSFETGeneral FeaturesDescription V =-60V,I =-90ADS DThe NCEAP60P90AK uses Super Trench technology that isR =7.6m (typical) @ V =-10VDS(ON) GSuniquely optimized to provide the most efficient high frequencyR =9.2m (typical) @ V =-4.5VDS(ON) GSswitching performance. Both conduction and

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AP30H80Q , AP3908GD , AP3908QD , AP3910GD , AP4008QD , AP4085G , AP4822QD , AP4910GD , IRF740 , AP68N06G , AP80N04G , AP80N04Q , AP90N03Q , AP90P03G , AP90P03Q , APG077N01G , APG095N01G .

History: AP73T03AGM-HF | IXFH96N20P | NTD4805N-1G

 

 
Back to Top

 


 
.