Справочник MOSFET. AP60P20Q

 

AP60P20Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP60P20Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 572 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для AP60P20Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60P20Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1072K  1
ap60p20q.pdfpdf_icon

AP60P20Q

AP60P20Q P-Channel Enhancement Mosfet Feature -20V,-60A R

 9.1. Size:144K  ape
ap60pn72rlen.pdfpdf_icon

AP60P20Q

AP60PN72RLENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 600VD Small Package Outline RDS(ON) 72 ESD Diode Protected ID 53mAS RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSOT-23 GDescriptionDAP60PN72 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to a

 9.2. Size:143K  ape
ap60pn72ren.pdfpdf_icon

AP60P20Q

AP60PN72RENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 600VD Small Package Outline RDS(ON) 72 ESD Diode Protected ID 53mAS RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSOT-23 GDescriptionDAP60PN72 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to ac

 9.3. Size:623K  ncepower
nceap60p90ak.pdfpdf_icon

AP60P20Q

NCEAP60P90AKhttp://www.ncepower.comNCE Automotive P-Channel Super Trench Power MOSFETGeneral FeaturesDescription V =-60V,I =-90ADS DThe NCEAP60P90AK uses Super Trench technology that isR =7.6m (typical) @ V =-10VDS(ON) GSuniquely optimized to provide the most efficient high frequencyR =9.2m (typical) @ V =-4.5VDS(ON) GSswitching performance. Both conduction and

Другие MOSFET... AP30H80Q , AP3908GD , AP3908QD , AP3910GD , AP4008QD , AP4085G , AP4822QD , AP4910GD , IRF740 , AP68N06G , AP80N04G , AP80N04Q , AP90N03Q , AP90P03G , AP90P03Q , APG077N01G , APG095N01G .

History: PH1330AL | IXTH75N10L2 | AP2864I-A-HF | RJU003N03FRA | AP2852GO | IXTY1N80

 

 
Back to Top

 


 
.