AP68N06G Todos los transistores

 

AP68N06G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP68N06G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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AP68N06G Datasheet (PDF)

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AP68N06G

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 ap68n04df.pdf pdf_icon

AP68N06G

AP68N04DF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP68N04DF uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =68A DS DR

 8.2. Size:1359K  cn apm
 ap68n04nf.pdf pdf_icon

AP68N06G

AP68N04NF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP68N04NF uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =68A DS DR

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History: 2SK246 | AP9468GS

 

 
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