AP68N06G - аналоги и даташиты транзистора

 

AP68N06G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP68N06G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AP68N06G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP68N06G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1612K  1
 ap68n06g.pdf pdf_icon

AP68N06G

 8.1. Size:1378K  cn apm
 ap68n04df.pdf pdf_icon

AP68N06G

AP68N04DF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP68N04DF uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =68A DS DR

 8.2. Size:1359K  cn apm
 ap68n04nf.pdf pdf_icon

AP68N06G

AP68N04NF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP68N04NF uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =68A DS DR

Другие MOSFET... AP3908GD , AP3908QD , AP3910GD , AP4008QD , AP4085G , AP4822QD , AP4910GD , AP60P20Q , IRF840 , AP80N04G , AP80N04Q , AP90N03Q , AP90P03G , AP90P03Q , APG077N01G , APG095N01G , ASDM30N55E-R .

History: AP2323GN | FDS6986AS | AUIRF7309Q | UT6898G-S08-R | 2SJ344 | AP2346GN | JMSL0302PU

 

 
Back to Top

 


 
.