AP68N06G - описание и поиск аналогов

 

AP68N06G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP68N06G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AP68N06G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP68N06G даташит

 ..1. Size:1612K  1
 ap68n06g.pdf pdf_icon

AP68N06G

 ..2. Size:1612K  allpower
 ap68n06g.pdf pdf_icon

AP68N06G

 8.1. Size:1378K  cn apm
 ap68n04df.pdf pdf_icon

AP68N06G

AP68N04DF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP68N04DF uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =68A DS D R

 8.2. Size:1359K  cn apm
 ap68n04nf.pdf pdf_icon

AP68N06G

AP68N04NF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP68N04NF uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =68A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3908GD , AP3908QD , AP3910GD , AP4008QD , AP4085G , AP4822QD , AP4910GD , AP60P20Q , IRF840 , AP80N04G , AP80N04Q , AP90N03Q , AP90P03G , AP90P03Q , APG077N01G , APG095N01G , ASDM30N55E-R .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.